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固体电子芯片

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金属-氧化物半导体场效应晶体管MOSFET芯片

时间:2021/06/14    点击量:177

金属-氧化物半导体场效应晶体管MOSFET芯片

MOSFET产品

类别型号

Type

漏源电压

VDS

芯片面积

Die Size

最大漏源电流

ID

最大脉冲漏源电流

IDM

导通电阻

RON

开通上升时间

tr

关断下降时间

tf

开通延迟时间

td(on)

关断延迟时间

td(off)

栅源电压

VGS

(V)

(A)

(A)

(mΩ)

(ns)

(ns)

(ns)

(ns)

(V)

SE-DM-50A12

1200

4.4×3.1mm

50

140

50

22

19

31

22

-5~20



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