功率半导体发光二极管芯片技术规范：范围、要求

时间：2021/07/23    点击量：251

1. 范围 本标准规定了功率半导体发光二极管芯片产品(以下简称芯片)的技术要求、检验方法、检验规则、 包装、运输和储存等。 本标准适用于功率半导体发光二极管芯片。

2.规范性引用文件

3. 要求

 3.1 通则 

3.1.1 优先顺序 芯片应符合本标准和相关详细规范的要求。本标准的要求与相关详细规范不一致时,应以相关详 细规范为准。 

3.1.2 对详细规范的引用 本标准中使用“按规定”一词而未指明引用的文件时,即指引用相关详细规范。

3.2 材料和结构 

3.2.1 材料 应采用能使芯片符合本标准性能要求的半导体材料,且所用材料在规定的试验条件下,应无刮伤、 划痕、翘曲等影响芯片贮存、工作和环境适应能力的缺陷。 

3.2.2 外形尺寸 芯片的外形尺寸应符合相关详细规范的规定。

3.2.3 键合区 键合区的大小、位置、顺序和电气功能应符合相关详细规范的规定。 

3.3 外观质量 芯片的外观质量应符合附录 A 的规定。 

3.4 绝对最大额定值和特性 

3.4.1 绝对最大额定值 绝对最大额定值要求见表1。

表 1 绝对最大额定值

3.4.2 光电特性 芯片的光电特性应符合表2和相关详细规范的规定。

表 2 光电特性

3.5 环境适应性 

3.5.1 键合强度 芯片键合后进行键合拉力试验,键合拉力符合IEC60749-22:2002的规定。 

3.5.2 剪切力 将芯片粘接或共晶焊在支架上,进行剪切力试验,剪切力符合IEC60749-19:2010的规定。 

3.5.3 温度循环 将芯片进行封装,按最低和最高贮存温度进行温度循环试验,循环次数按规定。试验后,性能参数 符合表6的规定。 

3.5.4 循环湿热 将芯片进行封装,进行循环湿热试验,试验后,性能参数符合表6的规定。 

3.5.5 恒定加速度(仅适用于空腔封装器件) 将芯片进行封装,进行恒定加速度试验,试验后,性能参数符合表6的规定。 

3.6 电耐久性 将芯片进行封装,按 GB/T4589.1—2006的3.10.2的规定,加电工作168h后,电性能符合表5的 规定;加电工作1000h后,电性能符合表6的规定。 

3.7 静电放电敏感度(适用时) 按照SJ/T11394—2009中规定的方法进行人体模式静电放电敏感度和/或机器模式静电放电敏感 度试验,分级标准见附录 B。

附 录 A (规范性附录) 功率半导体发光二极管芯片的目检

A.1 目的 检验功率半导体发光二极管芯片的结构和工艺质量是否符合要求,发现和剔除有缺陷的芯片。 

A.2 设备 本检验所需设备包括具有规定放大倍数的光学仪器和作为目检判据的标准样品或图样、照片等,使 操作者能对受检芯片的接收与否做出客观的判断。此外还需要有利于芯片检查而又不使芯片受到损伤 的合适夹具。 

A.3 程序

 A.3.1 通则 

A.3.1.1 环境要求 芯片应在相对湿度45%~75%,温度15 ℃~35 ℃的ISO8级的净化环境及有相应级别静电防护 条件的环境中进行目检。 

A.3.1.2 放大倍数 除另有规定外,采用放大倍数20倍~40倍的单目、双目或立体显微镜进行检验,操作人员使用不 损坏芯片的工具,在适当的照明下进行检验,以确定器件是否符合规定的要求。 

A.3.1.3 检验顺序 承制方可自行安排检验顺序。 

A.3.2 芯片检验 

A.3.2.1 概述 这些检验适用于正装芯片的非同侧电极结构(见图 A.1)、正装芯片的同侧电极结构(见图 A.2)、倒装 芯片的同侧电极结构(见图 A.3),对受检芯片的正面、侧面和背面进行检验。探针测试点不作为缺陷。 

图 A.1 正装芯片的非同侧电极结构示意图

图 A.2 正装芯片的同侧电极结构示意图 

图 A.3 倒装芯片的同侧电极结构示意图

A.3.2.2 芯片缺损、裂纹及划伤 芯片不得有明显的缺角、裂纹、划伤及气泡。芯片不得有双胞,不得有多出边框的管芯等缺陷。划 裂片不能伤至芯片金属 P、N 电极或透明电极。

A.3.2.3 金属化表面 芯片的金属化表面应均匀、无变色,电极无跷起或起皮,表面污染面积、刮伤、压伤等应符合详细规 范规定。 

A.3.2.4 外形尺寸 使用准确度符合要求的量具测量芯片的尺寸。 出现下列情况均为不合格: a) 芯片尺寸只有原来芯片面积90%以下; b) 带有15%以上邻近的芯片; c) 虽带有15%以下邻近芯片,但在邻近芯片上可看见电极金属化层; d) 厚度偏差超过规定值时。 

A.3.2.5 镀层(金属镀层和介质镀层)缺陷 无论是芯片的正面还是背面,除非另有规定,镀层脱落面积不应大于芯片面积的25%。 

A.3.2.6 多余物 芯片表面附着的多余物的各方向尺寸均不应大于25μm。

A.3.2.7 芯片排列 芯片排列出现表 A.1所述缺陷均为不合格。 表 A.1 芯片排列的缺陷示例

A.4 详细规范中应规定的内容 详细规范中应规定以下内容:

a) 放大倍数; b) 芯片外形尺寸; c) 厚度偏差。

附 录 B (规范性附录) 人体模式和机器模式的静电放电敏感度分级及标志 

人体模式静电放电敏感度分级及标志见表 B.1。 

表 B.1 人体模式静电放电敏感度分级及标志

机器模式静电放电敏感度分级及标志见表 B.2。

表 B.2 机器模式静电放电敏感度分级及标志